Številka izdelka proizvajalca:
CSD17575Q3T
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD17575Q3T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Zaloga:
19759 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12815075
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD17575Q3T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4420 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 108W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
CSD17575
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-CSD17575Q3T
296-37961-6
296-37961-1
296-37961-2
TEXTISCSD17575Q3T
Standardni paket
250
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF300P227
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
CSD25485F5T
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
