CSD18510KTTT
Številka izdelka proizvajalca:

CSD18510KTTT

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD18510KTTT-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 274A (Tc) 250W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Zaloga:

336 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12795552
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

CSD18510KTTT Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
274A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11400 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Primer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Osnovna številka izdelka
CSD18510

Tehnični list in dokumenti

Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
296-45229-6
296-45229-1
296-45229-2
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2 (1 Year)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
texas-instruments

CSD25213W10

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

central-semiconductor

CMPDM7002AG TR PBFREE

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23

texas-instruments

CSD23285F5

MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD17570Q5B

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON