Številka izdelka proizvajalca:
CSD18536KTTT
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD18536KTTT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
Podroben opis:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 349A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Zaloga:
547 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12795751
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD18536KTTT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200A (Ta), 349A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11430 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Primer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Osnovna številka izdelka
CSD18536
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-44122-1
296-44122-2
CSD18536KTTT-DG
296-44122-6
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2 (1 Year)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
CSD17318Q2T
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON