Številka izdelka proizvajalca:
CSD19532KTTT
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD19532KTTT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Zaloga:
9910 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12788569
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD19532KTTT Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5060 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (DDPAK-3)
Paket / Primer
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Osnovna številka izdelka
CSD19532
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-CSD19532KTTT
296-43211-6
TEXTISCSD19532KTTT
296-43211-1
296-43211-2
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
2 (1 Year)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD15380F3T
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
CSD18502Q5BT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
CSD17303Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON