Številka izdelka proizvajalca:
CSD19536KCS
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD19536KCS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
2308 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13036354
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD19536KCS Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tube
Serije
NexFET™
Pakiranje
Tube
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
CSD19536
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-37289-5
296-37289-5-NDR
-CSD19536KCS-NDR
-CSD19536KCSINACTIVE
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
CSD25202W15T
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
CSD22205LT
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
