Številka izdelka proizvajalca:
CSD25304W1015T
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD25304W1015T-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Podroben opis:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Zaloga:
732 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12795573
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD25304W1015T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.15V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
4.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
595 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
750mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Primer
6-UFBGA, DSBGA
Osnovna številka izdelka
CSD25304W1015
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-38024-1
296-38024-2
296-38024-6
Standardni paket
250
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DN1509N8-G
MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA
DN2535N3-G-P013
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
CSD19535KTTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
