Številka izdelka proizvajalca:
CSD25501F3
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD25501F3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Podroben opis:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)
Zaloga:
14210 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802172
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD25501F3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
FemtoFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.05V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
-20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
385 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
3-LGA (0.73x0.64)
Paket / Primer
3-XFLGA
Osnovna številka izdelka
CSD25501
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
CSD25501F3-DG
296-51017-6
296-51017-1
296-51017-2
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA60R360P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AUIRFR4620TRL
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK