Številka izdelka proizvajalca:

CSD87330Q3DT

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD87330Q3DT-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

Podroben opis:

Mosfet Array 30V 20A (Ta) 6W (Ta) Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12996182

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

CSD87330Q3DT Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Texas Instruments

Pakiranje

-

Serije

NexFET™

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Half Bridge)

Funkcija FET

Standard

Odtok do napetosti vira (vdss)

30V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

20A (Ta)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V

vgs(th) (maks) @ id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

900pF @ 15V, 1632pF @ 15V

Moč - največja

6W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

8-PowerLDFN

Paket naprav dobavitelja

8-LSON (3.3x3.3)

Osnovna številka izdelka

CSD87330

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

CSD87330Q3DT-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

296-CSD87330Q3DT

Standardni paket

1

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

rohm-semi

SP8M4HZGTB

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

rohm-semi

SP8M31HZGTB

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP

rohm-semi

SP8M3HZGTB

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L820R,LXHF

MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF