CSD87335Q3D

Številka izdelka proizvajalca:

CSD87335Q3D

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD87335Q3D-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

Podroben opis:

Mosfet Array 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)

Zaloga:

4919 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12815900

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

CSD87335Q3D Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Texas Instruments

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

NexFET™

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

30V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

-

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

-

vgs(th) (maks) @ id

1.9V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1050pF @ 15V

Moč - največja

6W

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

8-PowerLDFN

Paket naprav dobavitelja

8-LSON (3.3x3.3)

Osnovna številka izdelka

CSD87335Q3

Tehnični list in dokumenti

Stran izdelka proizvajalca

CSD87335Q3D Specifications

Podatkovni listi

CSD87335Q3D Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena

296-43949-1

296-43949-2

CSD87335Q3D-DG

2156-CSD87335Q3D

296-43949-6

TEXTISCSD87335Q3D

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

texas-instruments

TPS1120D

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC

IRF9358PBF

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO

infineon-technologies

IRF7757TRPBF

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

texas-instruments

CSD83325L

MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR