Številka izdelka proizvajalca:
TPS1100D
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
TPS1100D-DG
Opis:
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Podroben opis:
P-Channel 15 V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
346 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12814121
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPS1100D Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
15 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+2V, -15V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
791mW (Ta)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
TPS1100
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TEXTISTPS1100D
-TPS1100DG4-NDR
296-3379-5
TPS1100DG4-DG
-296-3379-5
-296-3379-5-DG
2156-TPS1100D
TPS1100DG4
-TPS1100D-NDR
-TPS1100DG4
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFU2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
IRL3705NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRF200S234
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
