Številka izdelka proizvajalca:
TPS1101DR
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
TPS1101DR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Podroben opis:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12816372
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPS1101DR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
15 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.7V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+2V, -15V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
791mW (Ta)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
TPS1101
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDS6375
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2121
ŠTEVILKA DELA
FDS6375-DG
CENA ENOTE
0.32
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPW60R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
IRF6678TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
CSD25303W1015
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
