2SA965-Y,T6F(J
Številka izdelka proizvajalca:

2SA965-Y,T6F(J

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

2SA965-Y,T6F(J-DG

Opis:

TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD

Zaloga:

12890294
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

2SA965-Y,T6F(J Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
PNP
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
800 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
120 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
1V @ 50mA, 500mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Moč - največja
900 mW
Frekvenca - prehod
120MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paket naprav dobavitelja
TO-92MOD
Osnovna številka izdelka
2SA965

Dodatne informacije

Druga imena
2SA965-YT6F(J
2SA965YT6FJ
Standardni paket
1

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
2SA1201-Y(TE12L,ZC
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
788
ŠTEVILKA DELA
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
CENA ENOTE
0.13
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3665-Y,T2F(J

TRANS NPN 120V 0.8A MSTM

toshiba-semiconductor-and-storage

TTB1067B,Q(S

TRANSISTOR PNP BIPO TO126N

toshiba-semiconductor-and-storage

TTC0002(Q)

TRANS NPN 160V 18A TO3P

diodes

MMBT3906FA-7B

TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN