Številka izdelka proizvajalca:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
2SD1407A-Y(F)-DG
Opis:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
Zaloga:
12891164
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD1407A-Y(F) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
5 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
100 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
2V @ 400mA, 4A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
Moč - največja
30 W
Frekvenca - prehod
12MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Paket naprav dobavitelja
TO-220NIS
Osnovna številka izdelka
2SD1407
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
MJF31CG
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
231
ŠTEVILKA DELA
MJF31CG-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TTC004B,Q
TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
2SB1495,Q(J
TRANS PNP 100V 3A TO220NIS
2SC3326-A,LF
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
