Številka izdelka proizvajalca:
2SD2257,Q(J
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
2SD2257,Q(J-DG
Opis:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Zaloga:
12889335
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD2257,Q(J Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
3 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
100 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
10µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Moč - največja
2 W
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Paket naprav dobavitelja
TO-220NIS
Osnovna številka izdelka
2SD2257
Dodatne informacije
Druga imena
2SD2257Q(J
2SD2257QJ
Standardni paket
1
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SA1162-GR,LF
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
2SC4881(CANO,F,M)
TRANS NPN 50V 5A TO220NIS
BC856BL3-TP
TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
