Številka izdelka proizvajalca:
2SK2507(F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
2SK2507(F)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Podroben opis:
N-Channel 50 V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Zaloga:
12890114
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK2507(F) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
50 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
46mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
900 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220NIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
2SK2507
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TPCA8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
