Številka izdelka proizvajalca:
2SK2719(F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
2SK2719(F)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
12889784
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SK2719(F) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
750 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
2SK2719
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K339R,LF
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F
SSM6J409TU(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
