Številka izdelka proizvajalca:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Zaloga:
12891097
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HN1B01FU-Y(L,F,T) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN, PNP
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
150mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 10mA, 100mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Moč - največja
200mW
Frekvenca - prehod
120MHz
Delovna temperatura
125°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
US6
Osnovna številka izdelka
HN1B01
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
UMZ1NTR
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
109445
ŠTEVILKA DELA
UMZ1NTR-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HN1A01FE-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
2SA1873-GR(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
HN4B01JE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
