Številka izdelka proizvajalca:
HN4A51JTE85LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
HN4A51JTE85LF-DG
Opis:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Zaloga:
6119 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889130
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HN4A51JTE85LF Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
120V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Moč - največja
300mW
Frekvenca - prehod
100MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SC-74A, SOT-753
Paket naprav dobavitelja
SMV
Osnovna številka izdelka
HN4A51
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HN1C01FU-Y,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6