Številka izdelka proizvajalca:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Opis:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Zaloga:
2900 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12988801
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HN4B102J(TE85L,F) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN, PNP
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
1.8A, 2A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
30V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Moč - največja
750mW
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SC-74A, SOT-753
Paket naprav dobavitelja
SMV
Osnovna številka izdelka
HN4B102
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
