RN1101CT(TPL3)
Številka izdelka proizvajalca:

RN1101CT(TPL3)

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN1101CT(TPL3)-DG

Opis:

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 50 mA 50 mW Surface Mount CST3

Zaloga:

12889351
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN1101CT(TPL3) Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta tranzistorja
NPN - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
50 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
20 V
Upor - osnova (R1)
4.7 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Moč - največja
50 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SC-101, SOT-883
Paket naprav dobavitelja
CST3
Osnovna številka izdelka
RN1101

Dodatne informacije

Druga imena
RN1101CT(TPL3)DKR
RN1101CT(TPL3)TR
RN1101CT(TPL3)CT
Standardni paket
10,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2405,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1113ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1406,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1415(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI