Številka izdelka proizvajalca:
RN1105MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1105MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Zaloga:
12889116
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1105MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
2.2 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Moč - največja
150 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-723
Paket naprav dobavitelja
VESM
Osnovna številka izdelka
RN1105
Dodatne informacije
Druga imena
RN1105MFV(TL3T)TR
RN1105MFV,L3FCT
RN1105MFVTL3T
RN1105MFV(TL3T)DKR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT-DG
RN1105MFV,L3F(B
RN1105MFV,L3FTR
RN1105MFV(TL3T)DKR
RN1105MFV(TL3T)TR-DG
RN1105MFV(TL3T)CT
RN1105MFV,L3F(T
RN1105MFV,L3FDKR
RN1105MFV(TL3,T)
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NSVDTC123JM3T5G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
8000
ŠTEVILKA DELA
NSVDTC123JM3T5G-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2303(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1408,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
