Številka izdelka proizvajalca:
RN1108MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1108MFV,L3F-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Zaloga:
6661 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890982
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1108MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
22 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Moč - največja
150 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-723
Paket naprav dobavitelja
VESM
Osnovna številka izdelka
RN1108
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1108MFVL3FTR
RN1108MFV,L3F(T
RN1108MFVL3FCT
RN1108MFVL3FDKR
RN1108MFV,L3F(B
RN1108MFVL3F
RN1108MFVL3F-DG
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DTC124TMT2L
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
7980
ŠTEVILKA DELA
DTC124TMT2L-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN2421(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
