Številka izdelka proizvajalca:
RN1116,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1116,LF(CT-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Zaloga:
6170 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889789
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1116,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
4.7 kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
10 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250 MHz
Moč - največja
100 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SC-75, SOT-416
Paket naprav dobavitelja
SSM
Osnovna številka izdelka
RN1116
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1116LF(CTCT
RN1116LF(CTTR
RN1116,LF(CB
RN1116LF(CTDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1104MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
