Številka izdelka proizvajalca:
RN1701,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1701,LF-DG
Opis:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Zaloga:
6359 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889195
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1701,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket naprav dobavitelja
USV
Osnovna številka izdelka
RN1701
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4989FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6