RN1703,LF
Številka izdelka proizvajalca:

RN1703,LF

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN1703,LF-DG

Opis:

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Zaloga:

3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890172
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN1703,LF Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
22kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
22kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket naprav dobavitelja
USV
Osnovna številka izdelka
RN1703

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Druga imena
RN1703LFDKR
RN1703,LF(B
RN1703LFTR
RN1703LFCT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DDC144NS-7

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1967FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DCX124EK-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1966FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6