RN1705,LF
Številka izdelka proizvajalca:

RN1705,LF

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN1705,LF-DG

Opis:

NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

Zaloga:

8878 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890248
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN1705,LF Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
2.2kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket naprav dobavitelja
USV
Osnovna številka izdelka
RN1705

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Druga imena
RN1705LFCT
RN1705LFTR
RN1705,LF(T
RN1705LFDKR
RN1705,LF(B
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4606(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

diodes

DCX123JU-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1908(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1711JE(TE85L,F)

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH