Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
RN1901FETE85LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1901FETE85LF-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12891155
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1901FETE85LF Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN1901
Dodatne informacije
Druga imena
RN1901FETE85LFCT
RN1901FE(TE85L,F)
RN1901FETE85LFTR
RN1901FETE85LFDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PEMH15,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
16000
ŠTEVILKA DELA
PEMH15,115-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
NSBC143ZDXV6T1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
15499
ŠTEVILKA DELA
NSBC143ZDXV6T1G-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DDC143EH-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
3000
ŠTEVILKA DELA
DDC143EH-7-DG
CENA ENOTE
0.06
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
PEMH13,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
8000
ŠTEVILKA DELA
PEMH13,115-DG
CENA ENOTE
0.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4903,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2
RN4904,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2706JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV