RN1909,LXHF(CT
Številka izdelka proizvajalca:

RN1909,LXHF(CT

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN1909,LXHF(CT-DG

Opis:

AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

Zaloga:

6000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12968487
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN1909,LXHF(CT Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
47kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
22kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
US6
Osnovna številka izdelka
RN1909

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
264-RN1909,LXHF(CT-DG
264-RN1909,LXHF(CT
264-RN1909,LXHF(CTTR-DG
264-RN1909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1909LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NSBC143TPDXV6T5

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

MUN5338DW1T3G

SS SC88 DUAL BRT TRPDBN

onsemi

NSVBC123JDXV6T5G

SS SOT563 SRF MT RST XSTR

onsemi

NSBA114EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR