Številka izdelka proizvajalca:
RN1910FE(T5L,F,T)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1910FE(T5L,F,T)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
12889612
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1910FE(T5L,F,T) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
-
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN1910
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NSBC143TDXV6T1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
NSBC143TDXV6T1G-DG
CENA ENOTE
0.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
PUMH7,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
12777
ŠTEVILKA DELA
PUMH7,115-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN4981FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1507(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6