Številka izdelka proizvajalca:
RN1910FE,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN1910FE,LF(CT-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
4750 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889497
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
zMcu
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN1910FE,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
-
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN1910
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
RN1910FELF(CTDKR
RN1910FELF(CTCT
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4985,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6