RN2413TE85LF
Številka izdelka proizvajalca:

RN2413TE85LF

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN2413TE85LF-DG

Opis:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Zaloga:

3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889498
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN2413TE85LF Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni, predpripravljen bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
PNP - Pre-Biased
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Upor - osnova (R1)
47 kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
200 MHz
Moč - največja
200 mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket naprav dobavitelja
S-Mini
Osnovna številka izdelka
RN2413

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
RN2413TE85LFDKR
RN2413TE85LFCT
RN2413(TE85L,F)
RN2413TE85LF-DG
RN2413TE85LFTR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2427TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

diodes

DDTD143EU-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1314(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102T5LFT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM