Številka izdelka proizvajalca:
RN2705,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN2705,LF-DG
Opis:
PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Zaloga:
2657 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890566
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN2705,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
2.2kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
200MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket naprav dobavitelja
USV
Osnovna številka izdelka
RN2705
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN2705LFDKR
RN2705,LF(B
RN2705LFDKR-DG
264-RN2705,LFCT
RN2705LFCT-DG
RN2705LFTR-DG
RN2705LFTR
264-RN2705,LFTR
RN2705LFCT
264-RN2705,LFDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN2704JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1901,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2605(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
