RN2708,LF
Številka izdelka proizvajalca:

RN2708,LF

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN2708,LF-DG

Opis:

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV

Zaloga:

3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890745
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN2708,LF Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
22kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
200MHz
Moč - največja
200mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket naprav dobavitelja
USV
Osnovna številka izdelka
RN2708

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Druga imena
RN2708LFDKR
RN2708LFTR
RN2708LFCT
RN2708,LF(B
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2903FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DDA124EH-7

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2502(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN49A1(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6