Številka izdelka proizvajalca:
RN2712JE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN2712JE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Zaloga:
3995 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889588
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN2712JE(TE85L,F) Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
22kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
-
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
200MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-553
Paket naprav dobavitelja
ESV
Osnovna številka izdelka
RN2712
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN2712JE(TE85LF)CT
RN2712JE(TE85LF)TR
RN2712JE(TE85LF)DKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN4991FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
RN2902FE(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1502(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
