Številka izdelka proizvajalca:
RN4901FE,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN4901FE,LF(CT-DG
Opis:
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
330 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889750
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
GBF8
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN4901FE,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
200MHz, 250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN4901
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN4901FELF(CTCT
RN4901FELF(CTTR
RN4901FELF(CTDKR
RN4901FE,LF(CB
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4901(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6