RN4901FE,LF(CT
Številka izdelka proizvajalca:

RN4901FE,LF(CT

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

RN4901FE,LF(CT-DG

Opis:

PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Zaloga:

330 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889750
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
GBF8
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RN4901FE,LF(CT Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
4.7kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
200MHz, 250MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN4901

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
RN4901FELF(CTCT
RN4901FELF(CTTR
RN4901FELF(CTDKR
RN4901FE,LF(CB
Standardni paket
4,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1510(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1968(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2506(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV