Številka izdelka proizvajalca:
RN4906FE,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN4906FE,LF(CT-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
4000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889128
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN4906FE,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
4.7kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvenca - prehod
200MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN4906
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CBTR
RN4906FE(TE85LF)TR-DG
RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTDKR
RN4906FE,LF(CB
RN4906FELF(CBDKR-DG
RN4906FELF(CBCT-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR
RN4906FE(TE85LF)TR
RN4906FELF(CTTR
RN4906FELF(CBDKR
RN4906FE(TE85LF)CT-DG
RN4906FELF(CBTR-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR-DG
RN4906FE(TE85L,F)
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2962FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
