Številka izdelka proizvajalca:
RN4988FE,LF(CT
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
RN4988FE,LF(CT-DG
Opis:
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Podroben opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Zaloga:
4000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889808
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RN4988FE,LF(CT Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistorski nizi, prednapolnjeni
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
100mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50V
Upor - osnova (R1)
22kOhms
Upor - osnova oddajnika (R2)
47kOhms
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
500nA
Frekvenca - prehod
250MHz, 200MHz
Moč - največja
100mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
RN4988
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RN4988FELF(CTDKR
RN4988FE,LF(CB
RN4988FELF(CTCT
RN4988FELF(CTTR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RN1702,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
RN4909,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
RN1904FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
