Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J133TU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J133TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Podroben opis:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Zaloga:
106343 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890767
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J133TU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
840 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
UFM
Paket / Primer
3-SMD, Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM3J133
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J133TULFCT
SSM3J133TU,LF(B
SSM3J133TULFDKR
SSM3J133TU,LF(T
SSM3J133TULFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
