Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J352F,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Podroben opis:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Zaloga:
5843 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891504
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J352F,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
210 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.2W (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
S-Mini
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SSM3J352
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
SSM3K35AMFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
