Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J356R,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J356R,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Podroben opis:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Zaloga:
189285 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889274
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J356R,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+10V, -20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
330 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23F
Paket / Primer
SOT-23-3 Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM3J356
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J356RLFTR
SSM3J356R,LF(B
SSM3J356RLFDKR
SSM3J356RLFCT
SSM3J356R,LF(T
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K131TU,LF
MOSFET N-CH 30V 6A UFM
TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
SSM3K347R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
