Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J35AMFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J35AMFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Podroben opis:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Zaloga:
48370 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890401
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J35AMFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
250mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.2V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 100µA
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
42 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
VESM
Paket / Primer
SOT-723
Osnovna številka izdelka
SSM3J35
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J35AMFVL3FDKR
SSM3J35AMFVL3F
SSM3J35AMFVL3F(B
SSM3J35AMFV,L3F(B
SSM3J35AMFVL3FTR
SSM3J35AMFV,L3F(T
SSM3J35AMFVL3FCT
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
SSM3J35AFS,LF
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
