Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J35MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J35MFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Podroben opis:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Zaloga:
35555 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889711
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J35MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12.2 pF @ 3 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
VESM
Paket / Primer
SOT-723
Osnovna številka izdelka
SSM3J35
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM3J35MFVL3F(T
SSM3J35MFVTL3T
SSM3J35MFV(TL3,T)
SSM3J35MFV(TL3T)DKR-DG
SSM3J35MFV,L3F(T
SSM3J35MFVL3FCT
SSM3J35MFV(TL3T)TR-DG
SSM3J35MFVL3FTR
SSM3J35MFV(TL3T)TR
SSM3J35MFVL3F(B
SSM3J35MFV(TL3T)DKR
SSM3J35MFVL3FDKR
SSM3J35MFV(TL3T)CT-DG
SSM3J35MFV,L3F(B
SSM3J35MFVL3F
SSM3J35MFV(TL3T)CT
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SJ304(F)
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
