Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3J66MFV,L3F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Podroben opis:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Zaloga:
6318 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889181
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3J66MFV,L3F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
800mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.2V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+6V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
100 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
VESM
Paket / Primer
SOT-723
Osnovna številka izdelka
SSM3J66
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SSM3J66MFV Datasheet
Dodatne informacije
Druga imena
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
Standardni paket
8,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SSM3J66MFV,L3XHF
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
14411
ŠTEVILKA DELA
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
CENA ENOTE
0.04
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
SSM3K324R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220