SSM3K35MFV,L3F

Številka izdelka proizvajalca:

SSM3K35MFV,L3F

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

SSM3K35MFV,L3F-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 180MA VESM

Podroben opis:

N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12890914

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

SSM3K35MFV,L3F Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

20 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

180mA (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

1.2V, 4V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

vgs(th) (maks) @ id

1V @ 1mA

Vgs (maks)

±10V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

9.5 pF @ 3 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

150mW (Ta)

Delovna temperatura

150°C

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

VESM

Paket / Primer

SOT-723

Osnovna številka izdelka

SSM3K35

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena

SSM3K35MFVL3F

Standardni paket

8,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

RoHS Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK40P03M1(T6RDS-Q)

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK