Številka izdelka proizvajalca:
SSM3K7002KF,LXHF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM3K7002KF,LXHF-DG
Opis:
SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270
Podroben opis:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 270mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Zaloga:
17268 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12964329
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM3K7002KF,LXHF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
400mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
40 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
S-Mini
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-SSM3K7002KFLXHFCT
SSM3K7002KF,LXHF(B
264-SSM3K7002KFLXHFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIR122LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
