Številka izdelka proizvajalca:
SSM6J412TU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6J412TU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Podroben opis:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Zaloga:
4692 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889973
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6J412TU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
42.7mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
840 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
UF6
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM6J412
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6J412TULFDKR
SSM6J412TU,LF(B
SSM6J412TULFTR
SSM6J412TULFCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J374R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
SSM3K123TU,LF
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
TK20S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK