Številka izdelka proizvajalca:
SSM6J501NU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6J501NU,LF-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Podroben opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Zaloga:
106283 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889406
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6J501NU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15.3mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2600 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-UDFNB (2x2)
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
SSM6J501
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NULF(TDKR
SSM6J501NULFCT
SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TDKR-DG
SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULFDKR
SSM6J501NULF(TTR-DG
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF(TCT-DG
SSM6J501NULFTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SJ438(CANO,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3K329R,LF
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
TK4A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
