SSM6J511NU,LF

Številka izdelka proizvajalca:

SSM6J511NU,LF

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

SSM6J511NU,LF-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB

Podroben opis:

P-Channel 12 V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)

Zaloga:

56638 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12949587

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

SSM6J511NU,LF Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

U-MOSVII

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

12 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

14A (Ta)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

9.1mOhm @ 4A, 8V

vgs(th) (maks) @ id

1V @ 1mA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

47 nC @ 4.5 V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

3350 pF @ 6 V

Funkcija FET

-

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

6-UDFNB (2x2)

Paket / Primer

6-WDFN Exposed Pad

Osnovna številka izdelka

SSM6J511

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena

SSM6J511NULFDKR

SSM6J511NU,LF(T

SSM6J511NU,LF(B

SSM6J511NULFTR

SSM6J511NULFCT

SSM6J511NULF

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

DMN10H220L-13

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23

diodes

DMN3008SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM10N80CZ C0G

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

diodes

DMN62D0SFD-7

MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN