Številka izdelka proizvajalca:
SSM6J808R,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6J808R,LF-DG
Opis:
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Podroben opis:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Zaloga:
10631 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13309570
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6J808R,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+10V, -20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1020 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-TSOP-F
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM6J808
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
PSMNR56-25YLEX
PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
DMP22D5UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-