Številka izdelka proizvajalca:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6K361NU,LF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Podroben opis:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Zaloga:
40516 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889812
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6K361NU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
430 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-UDFNB (2x2)
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
SSM6K361
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
TK20P04M1,RQ(S
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
SSM6K514NU,LF
MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
